一种低噪声高增益 CMOS混频器设计

摘要：

基于TSMC 0．18μm CMOS工艺，设计了一种低噪声、高增益的混频器．通过在吉尔伯特单元中的跨导级处引入噪声抵消技术以降低混频器的噪声，并且在开关管的源级增加电流注入电路以减小本振端的偏置电流，增大电路的增益．仿真结果表明，混频器工作电压为1．8 V，直流电流为9．9 mA，在本振（ LO）频率为2．39 GHz，射频（RF）频率为2．4 GHz时，混频器的增益为12．65 dB，双边带噪声系数为4．23 dB，输入三阶交调点为-3．45 dBm．

关键词：CMOS 混频器、电流注入、噪声抵消、高增益、低噪声

分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：河南省科技发展计划科技攻关项目132102210441

在线出版日期：2014-08-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：413-416