聚噻吩并[3,4-c]呋喃的电子结构及导电性研究

摘要：

采用密度泛函(DFT)B3LYP方法优化了聚噻吩并[3,4-c]呋喃的单体和低聚物的电子结构,聚合物采用PBC方法和LSDA方法计算了性质特征,全部的优化都采用6-31G*基组计算.找出了单体、低聚体和聚合物电子结构的关系,并对其能带结构与态密度进行了分析与探讨.研究表明,并环分子的导电性能比单环分子更好.其能隙仅有0.19 eV,可以作为潜在的导电聚合物材料.

关键词：聚噻吩并[3、4-c]呋喃、电子结构、能带结构、态密度

所属期刊栏目：23

分类号：O641.121(物理化学（理论化学）、化学物理学)

资助基金：重庆市教委科学技术研究项目KJ071302

在线出版日期：2010-06-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：230-233