巨磁阻材料Sr1.9 Gd0.1FeMoO6光掺杂的正电子湮没研究

摘要：

采用固相反应法制备Sr1.9Gd0.1FeMoO6样品,通过X射线衍射检验其为单相.在光照10、20、30、40min后分别做了正电子湮没实验.研究了正电子寿命与先掺杂量之间的变化关系,分析了光掺杂对样品电子结构的影响.结果表明:正电子寿命参数对光掺杂量十分敏感,τ1、τ2随光照时间具有相同的变化趋势;在光照时间t>20 min时,平均电子浓度随光照时间有明显的变化;持续的光掺杂使样品缺陷的平均尺寸相对减小,可能由微空洞、多空穴向双空穴或单空穴转变,使电子结构趋于有序化.

关键词：正电子湮没、光掺杂、Sr1.9Cd0.1FeMoO6

所属期刊栏目：21

分类号：TM284;O474(电工材料)

资助基金：河南省教育厅自然科学基金2007140008

在线出版日期：2008-06-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：186-189