抑制△I噪声的去耦电容器应用技术

摘要：

利用去耦电容器抑制△I噪声面临一些新的挑战.分析了去耦电容器的寄生参数对其高频性能的影响,总结了高速高密度PCB上去耦电容器的选择,并重点讨论了抑制△I噪声的去耦电容器应用技术.结果表明:利用去耦电容器抑制△I噪声,应多个去耦电容器并联使用,并恰当选择去耦电容器的种类、个数、电容值和自谐振频率,以得到期望的等效阻抗曲线.

关键词：I噪声、去耦电容器、谐振频率、阻抗曲线

所属期刊栏目：19

分类号：TN41;TP33(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家自然科学基金0311012500;河南省教育厅自然科学基金2006510009

在线出版日期：2006-05-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：195-198