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10.3969/j.issn.1003-0972.2005.03.030

ZnO薄膜的制备和研究进展

引用
ZnO作为一种新型的宽禁带半导体材料,具有很好的化学稳定性和热稳定性,抗辐射损伤能力强,在光电器件、压电器件、表面声波器件等诸多领域有着很好的应用潜力.本文介绍了ZnO薄膜的基本性质以及喷雾热分解、脉冲激光沉积、金属有机物化学气相沉积等制备ZnO薄膜的技术和方法,并着重介绍了在ZnO紫外受激发射和p型掺杂等方面的研究进展.

ZnO薄膜、紫外受激发射、p型掺杂

18

O434;O484.4(光学)

河南省自然科学基金0424220173

2005-09-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共3页

344-345,361

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信阳师范学院学报(自然科学版)

1003-0972

41-1107/N

18

2005,18(3)

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