SiH4流量对燃料电池用钛合金板表面PECVD制备C:Si膜组织及耐蚀性的影响

摘要：

采用甲烷作为碳源,利用等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺在电池极板用钛合金板表面制得一层含硅非晶碳(C:Si)膜,对比了通入不同流量的SiH4所制备C:Si膜在导电性、疏水性、耐蚀性、厚度上的差异,深入分析了SiH4流量引起C:Si膜性能变化的机制.结果表明:C:Si膜与基底结合度很好.逐渐增大SiH4流量后,膜层厚度表现出增大趋势,C:Si膜的杂化比值由0.58增大至1.11,G峰的半峰宽由168 cm-1减小为103 cm-,判断SiH4流量升高可诱导C:Si膜发生石墨化转变.通入6 mL/minSiH4制得的C:Si膜具有优异的耐蚀性,极化后在表面形成晶体盐颗粒,并未观察到起皮及微孔缺陷.膜的界面电阻与钛基底相比显著降低,且C:Si膜的疏水性比基底更强,在SiH4流量为6 mL/min下C:Si膜获得了最低界面电阻和最优疏水性.

关键词：含硅非晶碳膜、钛合金板、SiH4流量、组织、耐腐蚀性能、电化学性能、燃料电池

所属期刊栏目：50

分类号：TG178(金属学与热处理)

资助基金：陕煤联合基金项目2019JLZ-12

在线出版日期：2023-02-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：68-71,98