高剂量离子辐照效应对CdZnTe:In晶体光电性能的影响

摘要：

研究了离子辐照效应对CdZnTe(CZT)晶体光电性能的影响.采用Ar离子对改进的垂直布里奇曼法生长的CZT晶体进行辐照,剂量范围为1014～1015cm-2.红外透过光谱测试结果表明,辐照前晶体样品的高直型光谱转变为辐照后的上升性光谱.辐照诱导产生的高浓度自由载流子引起的光吸收在红外透过光谱的中红外范围内占主导地位.由于离子辐照发生在单侧照射面的近表面区域,辐照后晶体样品的Ⅰ-Ⅴ特性曲线变得极不对称.在负偏压的条件下,电流随着电压的增大而急剧增大.霍尔效应测试结果表明,辐照前晶体样品的净载流子浓度约为106cm-3,而辐照后的净载流子浓度大幅增加,约为1016cm-3.CZT晶体的导电类型在离子辐照前后并没有发生变化,施主缺陷能级在辐照诱导缺陷中占主导地位.

关键词：化合物半导体、辐照效应、电学性能、光学性能

所属期刊栏目：50

资助基金：National Key Research and Development Program of China;Supported by Heavy Ion Research Facility in LanzhouHIRFL

在线出版日期：2021-08-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1941-1945