Zn2+掺杂对共沉淀法制备Ce∶Gd3Ga3Al2O12陶瓷粉体闪烁性能的影响

摘要：

利用化学共沉淀法制备Zn2+共掺的Ce∶GAGG陶瓷粉体.研究了Zn2+共掺的Ce∶GAGG陶瓷前驱粉体的TG/DTA和FTIR曲线;分析了不同煅烧温度对Ce∶GAGG陶瓷粉体相、形貌和颗粒度分布的影响;研究了Zn2+含量对Ce∶GAGG陶瓷粉体光致发光,辐射发光,激发光谱和荧光寿命的影响.研究表明:前驱粉体在883℃的相组成为GdAlO3相和GAGG相;前驱粉体在煅烧温度为900℃时,完全转化为GAGG相;当煅烧温度为1200℃时,GAGG颗粒尺寸控制在20～60 nm,分布均匀;随着Zn2+含量的变化,光致发光和辐射发光强度也相应变化,特别的,当Zn2+含量为0.4 mol％时,光致发光和辐射发光强度达到最大值;随着Zn2+掺杂含量的上升,荧光寿命出现下降的趋势.因此,Zn2+含量对Ce∶GAGG陶瓷粉体的辐射发光具有明显的影响,对降低荧光寿命具有积极的作用,对于提高GAGG闪烁材料的快速响应具有重要意义.

关键词：共沉淀法、前驱粉体、Ce∶GAGG陶瓷粉体、Zn2+共掺杂

所属期刊栏目：49

分类号：O782;TB34;O482.31

在线出版日期：2020-05-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：761-768