Mg掺杂InxGa1-xN薄膜的磁控溅射法制备和表征

摘要：

采用磁控溅射法, 用In2O3靶、Ga2O3靶、Mg靶在Si片上制备出InxGa1-xN薄膜和Mg掺杂的InxGa1-xN薄膜.薄膜中的In组分随着Mg的掺杂而减少, 因为Mg的掺杂抑制了In-N键的形成, 并增加了Ga进入薄膜的机会.通过EDS对Mg掺杂的InxGa1-xN薄膜的分析表明, 有1.4％的Mg组分被成功地掺入InxGa1-xN薄膜.电学性能分析表明In0.84Ga0.16N和Mg掺杂的In0.1Ga0.9N薄膜导电类型由n型转变为p型, 而且Mg掺杂的In0.1Ga0.9N薄膜的空穴浓度和电子迁移率分别为2.65×1018 cm-3和3.9 cm2/ (V·s) .

关键词：InxGa1-xN薄膜、磁控溅射法、Mg掺杂、电学性能

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资助基金：National Natural Science Foundation of China61405159,61076002;Natural Science Foundation of Education Commission of Shaanxi Province2012JK848

在线出版日期：2019-05-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1074-1078