单晶铜在ECAP过程中的织构转变和强化行为

摘要：

由于优异的导电和导热性能, 单晶铜在各个关键领域得到了广泛的应用.然而, 较低的强度严重限制了其在更广阔领域的发展和使用.利用ECAP对单晶铜进行强韧化调控, 同时探索变形路径对材料性能强化机理的影响.采用电子背散射衍射来对ECAP变形过程中单晶铜的织构进行检测.模具的内角Ф=120°, 外角ψ=37°.同时检测强化后材料的强度和延伸率.结果表明:5道次挤压后, A路径, Bc路径和C路径的强度分别为405、395、385 MPa, 延伸率分别为30％、30％、27.9％.6道次挤压后, A路径的织构从原始的{111}<112>变为{112}<110>以及较弱的{110}<112>两种织构;Bc路径为{001}<110>织构;而C路径的织构发生了明显分散, 出现多种织构并存的情况.在挤压过程中材料的导电性只有轻微的降低.可以看出, 在合适的应变量下, ECAP可以使单晶铜强度明显提高而且导电性损失很小.同时, 采用不同的挤压路径可以显著影响材料的性能.

关键词：等通道转角挤压、电子背散射衍射、织构、单晶铜

所属期刊栏目：48

分类号：TG146.1;TB332;TG339

在线出版日期：2019-05-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共9页

页码：1065-1073