Gd掺杂CeB6基阴极材料的制备及性能

摘要：

以CeB6和GdB6粉末为原料,采用放电等离子烧结技术(SPS)制备了高致密的多元稀土六硼化物GdxCe1-xB6(x=0.0～1.0)多晶块体.系统研究了Gd掺杂对GdxCe1-xB6多晶块体的物相组成、力学性能、电阻率及热发射性能的影响.研究结果表明,在烧结温度为1550℃,烧结压强为50 MPa,保温5 min的工艺条件下,可获得高致密的GdxCe1-xB6单相块体材料.烧结块体的维氏硬度可达24.02 GPa.热电子发射性能测试结果表明,适量的Gd掺杂可以显著提高电子发射性能,其中Gd0.1Ce0.9B6成分块体具有最佳的热电子发射性能,在1600℃,4 kV外加电压条件下,发射电流密度达到101.57A·cm-2,零场电流密度达到21.94 A·cm-2,平均有效逸出功为2.34 eV,优于同一条件下GdB6和CeB6块体的热发射性能.

关键词：CeB6基阴极材料、Gd掺杂、热电子发射性能、放电等离子烧结

所属期刊栏目：45

分类号：TG146.4+5(金属学与热处理)

资助基金：国家自然科学基金;北京市教委科技面上项目

在线出版日期：2017-01-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：3267-3270