硫化时间对CuInS2薄膜特性的影响

摘要：

磁控溅射制备Cu-In合金薄膜,随后通过固态源硫化制备了CuInS2.采用XRD、SEM、紫外可见光分光光度计和霍尔效应测试仪分析了薄膜的特性.结果表明:硫化时间为10 min至30 min时,不同的硫化时间硫化后薄膜的成分几乎保持不变,薄膜的结晶程度随时间的增加变好,电阻率随硫化时间的增加而提高,薄膜的光学带隙位于1.42～1.55 eV之间.

关键词：CuInS2薄膜、硫化时间、光电特性

所属期刊栏目：44

资助基金：National Natural Science Foundation of China 51364025

在线出版日期：2015-05-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：805-807