磁控溅射制备ZnO缓冲层薄膜的微观结构和光学性能
研究了衬底温度、溅射气压对磁控溅射沉积ZnO缓冲层薄膜的微观结构、表面形貌和光学性能的影响.结果表明,衬底温度、溅射气压对ZnO缓冲层薄膜表面形貌、晶粒尺寸、禁带宽度和光学透过率等有较大影响.综合分析得出最佳的制备ZnO缓冲层薄膜的工艺为250℃、0.6 Pa.在此工艺下制备的ZnO缓冲层薄膜具有很好的ZnO(002)面c轴择优取向,结构致密、尺寸均匀,禁带宽度为3.24 eV,可见光平均透过率为86.93%,符合作CIGS太阳能电池缓冲层的要求.
衬底温度、溅射气压、ZnO缓冲层、微观结构、光学性能
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TM615(发电、发电厂)
上海市科技攻关项目08110511600;上海市教委重点学科项目J50503
2014-10-23(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
2203-2208