10.3969/j.issn.1002-185X.2013.01.022
直流偏压对铝合金表面高功率脉冲磁控溅射沉积钒薄膜耐蚀性的影响
采用高功率脉冲磁控溅射(HPPMS)法,在工业纯铝基体上生长得到V薄膜,研究不同直流偏压对薄膜相结构、形貌及不同温度处理对耐蚀性的影响.结果表明,薄膜相结构为单一的V(111)相.薄膜表面光滑、平整,且随偏压的增大,薄膜表面粗糙度先减小后增大,最小仅为0.488 nm.薄膜沉积过程中离子吸引效应和溅射效应的竞争导致薄膜沉积速率随着偏压的增大先减小后增大.20℃时镀V薄膜样品在偏压为-100V时耐蚀性最佳,其腐蚀电位比基体提高了0.425V,腐蚀电流下降了2个数量级以上.镀V薄膜样品经过200和300℃加热处理后,其耐蚀性提高,但是与基体相比,经200℃处理后的镀V薄膜样品腐蚀电流最大降低了1个数量级,而经300℃处理后的镀V薄膜样品耐蚀性与基体相比提高并不明显.
高功率脉冲磁控溅射、V薄膜、直流偏压、铝合金、耐蚀性
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TG174(金属学与热处理)
表面物理与化学国家重点实验室开放基金资助项目SPC201104
2013-04-03(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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