10.3321/j.issn:1002-185X.2009.z1.097
磁控溅射法制备PZT基SMA/PZT异质复合材料
采用直流磁控溅射法在PZT基体上溅射沉积NiTiSMA薄膜,而制备出PZT基NiTii SMA/PZT异质复合材料.研究了溅射工艺参数与晶化温度对NiTi SMA薄膜相组成及SMA/PZT异质复合材料膜/基间结合状态的影响规律.结果表明,为保障NiTi SMA薄膜的晶体颗粒均匀、结构致密,膜/基间成分交换范围小及结合紧密,制各NiTi SMA/PZT异质复合材料的适宜工艺为:于基体温度150℃、氩气压强0.7 Pa条件下溅射沉积NiTi SMA薄膜,再经600℃二次晶化处理.显微观察发现,NiTi SMA薄膜与PZT基体之间以化学方式,而非物理方式结合.
磁控溅射法、晶化处理、显微结构、NiTi SMA/PZT异质复合材料
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TB333(工程材料学)
天津市科技支撑重点项目07ZCKFSF02200
2009-06-23(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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