Sb掺杂对Mg2Si基化合物热电性能的影响

摘要：

采用感应熔炼和真空热压的方法制备了Sb掺杂和未掺杂的Mg2Si基热电材料.研究了Sb掺杂对Mg2Si基热电材料的结构以及热电特性的影响.结果表明:通过Sb掺杂使得载流子浓度从3.07x1019 cm-3增加到1.25x1020 cm-3,电子有效质量也相应增加.测试了从室温到800 K下试样的Seebeck系数,电导率和热导率.结果显示,0.3 at%Sb掺杂使得电导率得到显著增加,在783 K时,ZT值达到0.7.

关键词：热电、金属间化合物、掺杂

所属期刊栏目：38

分类号：TN304.2;TG132.2+4(半导体技术)

资助基金：the National Basic Research Program of China2007CB607502;the National Natural Science Foundation of China50471039 and 50522203;PFDP of the Education Ministry of China20060335126

在线出版日期：2009-06-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：165-168