高K栅介质HfSi_xO_y薄膜的制备工艺与结构分析

摘要：

采用射频磁控溅射法制备HfSi_xO_y薄膜,系统研究工艺参数对HfSi_xO_y薄膜沉积速率的影响规律.对沉积态和退火HfO_2和HfSi_xO_y薄膜的结构进行了对比分析.结果表明:HfSi_xO_y薄膜的沉积速率随射频功率、Ar气体流量和粘贴Si面积的增大而增大,随溅射气压的增大而减小.衬底未加热时,制备的HfSi_xO_y和HfO_2薄膜均呈非晶态,随着衬底加热温度的上升,HfO_2薄膜呈多晶态,而HfSi_xO_y薄膜呈非晶态.HfSi_xO_y薄膜在800℃退火后仍呈非晶态,而HfO_2薄膜在400℃退火后已明显晶化,这表明HfSi_xO_y薄膜具有较高的热稳定性.

关键词：高K栅介质、HfSi_xO_y薄膜、射频磁控反应溅射、沉积速率

所属期刊栏目：38

分类号：TG146.4~+14(金属学与热处理)

资助基金：西北工业大学基础研究基金资助项目NPU-FFR-W018108

在线出版日期：2010-01-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：2039-2042