10.3321/j.issn:1002-185X.2009.09.004
氢分子在Mg(0001)表面的吸附与解离性能研究
采用基于密度泛函理论的第一原理计算方法,研究了氢分子(H2)在清洁、空位缺陷及Pd原子吸附的Mg(0001)表面的吸附与解离性能.结果显示:H2在清洁Mg(0001)表面呈较弱的物理吸附,H2解离需克服较高的能垒(1.3774 eV);空位缺陷的存在增强了Mg表面对H2的物理吸附能力,且使H2的解离能垒(1.2221 eV)有所降低;而清洁表面吸附的Pd原子则会与H2产生强烈的化学吸附作用,极大地降低了H2的解离能垒(0.2860 eV).电子结构分析发现:3种表面对H2吸附与解离的催化活性与Mg(0001)表面最上层与H2直接产生吸附作用的金属原子在费米能级(EF)附近s轨道的成键电子数密切相关.
Mg(0001)表面、吸附、解离、能垒
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O4 ;O64
Hunan Provincial Innovation Foundation for Postgraduate521298294;Natural Science Foundation of Hunan Province09JJ6079;Program for Changjiang Scholars and the Innovative Research Team in University531105050037
2009-11-20(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共8页
1518-1525