10.3321/j.issn:1002-185x.2007.08.007
低频脉冲电流退火对CoFeSiB非晶薄带巨磁阻抗效应的影响
研究了经不同低频脉冲电流密度退火的Co66.3Fe3.7Si12B18非晶薄带的巨磁阻抗(GMI)效应.结果表明,在低频脉冲电流下,巨磁阻抗效应的大小与退火电流密度密切相关.非晶带的GMI变化率△Z/Z先随退火电流密度的增加而增强,当电流密度为104A/mm2时,△Z/Z达到最大值53.8%,此后随电流密度增大,GMI变化率开始减小.对脉冲电流退火影响巨磁阻抗效应的机制作了定性分析.并分析了由脉冲电流退火在材料内感生的横向各向异性场Hk对GMI效应的影响,发现Hk有利于提高GMI效应的峰值,但同时存在一个临界值,当超过这个值时,GMI效应的峰值减弱.
巨磁阻抗效应、低频脉冲电流退火、横向各向异性场、CoFeSiB非晶态合金带
36
TG139+.8(金属学与热处理)
安徽省自然科学基金01042309;江苏大学校科研和教改项目JDG03-012
2007-10-22(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
1346-1349