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10.3321/j.issn:1002-185X.2006.z1.057

有机先驱体法制备SiBONC陶瓷的高温性能及析晶过程

引用
通过有机聚合物先驱体法使用四氯化硅(SiCl4)、苯甲醛(PhCHO)、烷基胺(RNH2)、三氯化硼(BCl3)为原料,对SiO2基陶瓷进行了B,C,N的原子级掺杂,并用裂解制备的纳米陶瓷粉体热压烧结制备了一种硅基复合陶瓷.在气氛烧结炉中对粉体及块体材料的热稳定性及析晶情况进行研究.粉体及块体陶瓷材料在1700℃时仍保持非晶态,其析晶温度在1800℃以上,析出的主要物相为纳米级的SiC颗粒及少量BN,其质量损失率在1900℃时为4%左右.B,C,N的原子级掺杂有效的提高了硅基陶瓷的热稳定性和硅基陶瓷的析晶温度,由于纳米SiC颗粒的析出使SiO2基陶瓷的高温力学性能得到了提高.

先驱体、有机聚合物、热稳定性、析晶

35

TB332(工程材料学)

国家自然科学基金50472011

2006-10-10(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

228-231

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稀有金属材料与工程

1002-185X

61-1154/TG

35

2006,35(z1)

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