用于高品质射频集成电感的厚膜多孔硅背向生长技术

摘要：

介绍了一种用于高品质射频集成电感的厚膜多孔硅背向生长技术.ASITIC模拟证明厚膜多孔硅衬底能够显著提高射频集成电感的性能.采用背向生长技术成功地制备出了厚膜多孔硅包括穿透整个硅片的多孔硅,并证实了该技术作为后处理工艺应用于CMOS技术的可行性.ESEM对所制样品的表面和截面形貌进行了分析.通过多组实验,得出了多孔硅生长速度与腐蚀电流密度的准线性关系.

关键词：多孔硅、射频集成电感、电化学腐蚀、后处理工艺

所属期刊栏目：35

分类号：TN405.95(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家自然科学基金60306005;Intel Corporation Fund

在线出版日期：2006-07-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：966-969