氧流量对铟锡氧化物薄膜光电性能的影响

摘要：

采用射频磁控溅射法,在不同氧流量(0～10sccm)的条件下沉积了铟锡氧化物(In2O3-SnO2)透明导电薄膜.紫外分光光度计测试薄膜的透射率,四点探针测试薄膜的方阻,椭偏仪测试薄膜的复折射率和薄膜厚度,XPS测试ITO薄膜的成分和电子结构.结果表明:薄膜的沉积速率和折射率与氧流量有关,薄膜厚度为60nm,氧流量在9 sccm时,透射率超过80%(波长λ=400 nm～700 nm,包括玻璃基体),退火后透射率、方阻明显改善.XPS分析表明,薄膜中的亚氧化物的存在降低了薄膜的光电性能,控制氧流量可减少亚氧化物.

关键词：磁控溅射、铟锡氧化物、透明导电薄膜、氧流量

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分类号：TG146.4(金属学与热处理)

资助基金：华中科技大学校科研和教改项目2005;国防预研基金51410020401JW0504

在线出版日期：2006-03-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：138-141