扩镓Si基GaN微米带的制备和特性

摘要：

用射频磁控溅射工艺在室温扩镓硅衬底上沉积Ga2O3膜,然后在氨气气氛下氮化Ga2O3膜得到GaN微米带,用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、选区电子衍射(SAED)、X射线光电子能谱(XPS)及光致发光谱(PL)对薄膜样品进行了结构、表面形貌、组分及发光特性分析.SEM图像显示直径约为100 nm～300 nm微米带随机分布在GaN薄膜表面.XRD、XPS及SAED分析表明GaN微米带呈六方闪锌矿多晶结构,择优沿[001]方向生长.P1显示了可能由量子限制效应引起的发光峰,其相对于报道的GaN晶体发光峰有显著蓝移.

关键词：Ga2O3薄膜、GaN微米带、射频磁控溅射

所属期刊栏目：34

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：Key Research Program of National Natural Science Foundation of China60071006;国家自然科学基金60071006

在线出版日期：2005-11-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1162-1165