Al焊盘表面氧化膜对金丝键合的影响

摘要：

在半导体制造工艺中,Al焊盘表面的氧化膜会阻碍金丝键合.针对某公司新半导体工艺中出现键合失效问题的芯片,采用SEM,EDS和AES对切片前后的芯片进行了分析.结果发现,切片前后Al焊盘表面的元素成分基本一致,可以认为清洗工艺对金丝键合基本没有影响,它不是导致金丝键合失效的原因;通过AES对焊盘进行深度剖析,在深度接近Al焊盘高度的一半时,氧的含量仍然高达40%左右,如此高含量的氧已经足以将Al完全氧化,其所形成的氧化膜阻碍了金丝键合所必需的金属连接和扩散过程,从而导致键合质量差,甚至无法实现键合.

关键词：晶圆、Al焊盘、金丝键合、氧化膜

所属期刊栏目：34

分类号：TN304.1(半导体技术)

在线出版日期：2005-03-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：143-145