10.3321/j.issn:1002-185X.2005.01.032
MOCVD Ir薄膜的制备与沉积效果分析
在不通入活性气体的条件下,采用三乙酰丙酮铱金属有机物化学气相沉积方法制备铱薄膜.结果表明:低于190℃长时间加热使先驱体分子结构改变,其C-H和C-O键断裂活性升高,导致沉积薄膜中含有显著数量的碳杂质;高于220℃加热先驱体和550℃沉积,可获得致密连续、无杂质碳并且呈亮银白色的铱薄膜.
铱、金属有机物化学气相沉积、先驱体、基片
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TG146.4(金属学与热处理)
国家高技术研究发展计划863计划2002AA305306
2005-03-09(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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