SmCo/Cr薄膜中Cr底层最佳溅射条件的正交设计研究

摘要：

在SmCo/Cr薄膜中,Cr底层的取向结构对薄膜的磁学性能有很大的影响.设计了4因素3水平的正交实验L9(34),并通过数理统计的方法分析了Cr底层的溅射参数对SmCo/Cr薄膜矫顽力的影响.用较少的实验得到Cr底层的最佳实验条件:靶基距为4 cm,功率为50 W,溅射气压为0.5 Pa,溅射时间为9 min.并发现了靶基距、功率和溅射气压对薄膜矫顽力的影响较大,其中靶基距是薄膜矫顽力最主要的控制因素.而溅射时间在所取的水平上对薄膜矫顽力的影响最小.本实验设计可达到95%的置信度.

关键词：SmCo/Cr薄膜、矫顽力、Cr底层、溅射参数

所属期刊栏目：33

分类号：TB43(工业通用技术与设备)

资助基金：教育部高校骨干教师资助计划;山西省自然科学基金;湖北省科技攻关项目20041032

在线出版日期：2004-12-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1033-1036