10.3321/j.issn:1002-185X.2004.02.023
脉冲直流 PCVD制备Ti(C,N)薄膜及其组织结构分析
用工业型脉冲直流等离子体化学气相沉积(PCVD)设备,针对不同混合气体CH4所占比例,在H13模具钢表面沉积了Ti(C,N)薄膜.用SEM观察薄膜断口形貌,用XRD及XPS分析薄膜相组成和价态.结果表明:一定量碳元素的加入,抑制了TiN薄膜中柱状晶的生长,并且阻止了TiN晶粒的长大.Ti(C,N)的相结构可能为TiN和TiC两相混合,但在C(或N)含量较低的膜层中,C(或N)原子也会以置换的方式存在于TiN(或TiC)单相组织中.
PCVD、Ti(C、N)、相结构
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TG149(金属学与热处理)
国家高技术研究发展计划863计划2001AA883010
2004-03-26(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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