辉光放电光谱分析在新材料表征中的应用及发展

摘要：

阐述了辉光放电光谱法(GDOES)在半导体材料及电子元器件领域、新能源材料领域、非导体材料领域的最新应用,介绍了GDOES在传统材料领域的新应用.GDOES可以直接固体进样、同时多元素、大动态范围的定性和定量分析,具有溅射速率快、多矩阵校准、适用于多种样品类型、运行成本低,具有高通量分析等优点,深度分析能力可以达到纳米级,可以对诸如H,O,C,N等轻元素进行分析,近年来在LED芯片、锂离子电池、太阳能光伏电池及微电子器件等半导体行业得到广泛应用.GDOE的剥蚀速率可达微米/分钟,反应快速,可以检测到电子轰击过程中的细微变化,提高材料成分测试精度,入射粒子能量较低,不会对材料的表面结构造成大的破坏,材料表面的均匀性可以得到准确的表征.此外GDOES的溅射坑可以用来进行X射线光电子能谱(XPS)、扫描电镜(SEM)测试,为相关测试提供样品,可以为材料提供多重且互补的信息.结合GDOES分析存在横向解析元素分布的局限,介绍了有关GDOES的横向分析能力的研究进展,通过单色成像光谱仪、声光可调谐滤波器、推扫式高光谱成像仪等技术应用GDOES可以实现元素分布二维或三维绘图,对于化学异质性材料的研究具有推动作用,横向分析能力的提升将会是GDOES发展的重点方向.

关键词：辉光放电光谱法(GDOES)、新材料、表征、涂镀层、表面

所属期刊栏目：48

分类号：TF803.21(有色金属冶炼)

资助基金：国家新材料测试评价平台项目;国家新材料测试评价平台项目

在线出版日期：2024-08-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共10页

页码：873-882