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10.13373/j.cnki.cjrm.XY21030023

NiCo2O4薄膜的制备及其磁电性能研究

引用
采用脉冲激光沉积(PLD)技术,在氧化镁(MgO(001))、钛酸锶(SrTiO3(001))和铝酸镁(MgAl204(001))3种衬底上,外延生长钴酸镍(NiCo2O4)薄膜.采用原子力显微镜(AFM)和X射线衍射仪(XRD)对NiCo2O4薄膜进行形貌表征和结构分析,测试结果表明NiCo2O4薄膜具有平整的表面和优异的结晶度.采用综合物性测量系统(PPMS)测试NiCo2O4薄膜的电输运及磁性能,通过对比发现在MgO(001)和SrTiO3(001)衬底上生长的NiCo2O4薄膜呈半导体特性,并且磁性较弱,而在MgAl2O4(001)衬底上生长的NiCo2O4薄膜具有金属性和室温亚铁磁性,并且表现出明显的垂直磁各向异性.综合分析表明,不同衬底上制备的NiCo2O4薄膜受外延应变、沉积温度(Tg)及氧分压(po2)的影响,会表现出差异较大的磁电特性.通过优化衬底的选择以及生长参数的调整,本文可以制备出具有垂直磁各向异性的室温亚铁磁金属NiCo2O4薄膜,可用于微型自旋电子学器件的制备.

脉冲激光沉积、NiCo2O4薄膜、金属性、室温亚铁磁、垂直磁各向异性

46

O484.1(固体物理学)

国家自然科学基金51901118

2022-09-14(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共7页

975-981

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