300 mm硅片双面抛光运动轨迹模拟和优化

摘要：

通过建立300 mm硅片双面化学机械抛光中硅片上定点相对于上下抛光垫的运动轨迹方程, 分析了内外齿轮转速、抛光布转速对运动轨迹分布的影响, 调整三者大小使得运动轨迹分布较均匀. 实验证明运动轨迹路径长度与抛光去除厚度成正比关系, 计算运动轨迹路径长度确定抛光垫的转速以达到上下表面具有相同的抛光速率. 研究结果为300 mm硅片双面化学机械抛光找出优化工艺参数、提高硅片抛光后表面质量提供了理论依据.

关键词：双面化学机械抛光、轨迹模拟、非均匀性、DSP

所属期刊栏目：31

分类号：TN304.1+2(半导体技术)

资助基金：科技部国际科技合作项目2005DFA51050

在线出版日期：2008-04-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：737-741