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10.3969/j.issn.0258-7076.2006.02.002

双面抛光工艺中压力对300 mm硅片表面形貌的影响

引用
利用非接触式光学轮廓仪研究了双面抛光过程中不同压力下300mm硅片表面形貌的变化,并通过Stribeck曲线进行了探讨.结果表明,双面抛光过程中机械作用的强度随着压力的变化而不同,从而影响抛光后的硅片表面形貌.当硅片表面与抛光垫之间的接触处于固-液混合接触区时,协调机械去除作用与化学腐蚀作用之间的关系,使之达到平衡,可以显著地降低硅片表面的微粗糙度和峰谷值.

硅片、双面抛光、非接触式光学轮廓仪、表面形貌

30

TN304.1+2(半导体技术)

国家高技术研究发展计划863计划2002AA3Z1110

2006-07-31(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

134-137

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