Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体单晶材料发展动态

摘要：

介绍了Ⅲ-Ⅴ族化合物单晶生长工艺包括 LEC、VCZ、VGF/VB、HB 的发展现状;欲生长大直径、高质量单晶,仍须对热传输和化学计量等问题进行深入研究.目前,全世界Ⅲ-Ⅴ族半导体单晶产量约 80t,产值约5亿美元.

关键词：Ⅲ-Ⅴ族半导体、单晶生长、位错

所属期刊栏目：24

分类号：TG146(金属学与热处理)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：378-382