SiC MOSFET参数体系及测试方法研究

摘要：

通过介绍SiC MOSFET的器件特性,重点研究了与Si基器件有不同特性的关键参数,如阈值电压、体二极管参数及短路参数,提出了全面、科学的SiC MOSFET参数体系;通过分析国内外测试方法现状及其适用性,对与SiC MOSFET自身特性有关的参数,如阈值电压、阈值电压稳定性等参数,进行了测试方法的重点研究.

关键词：碳化硅金属氧化物场效应晶体管;参数体系;测试方法

资助基金：国家重点研发计划"新一代碳化硅电力电子器件共性技术标准研究",项目编号:2020YFF0218504

在线出版日期：2021-10-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：25-29,34