10.19335/j.cnki.2095-6649.2021.4.043
一种推推介质振荡器的设计
本文基于GaAs HBT工艺研发了一款推推介质振荡器负阻芯片,并在此基础上设计了一种新型微带耦合形式的推推介质振荡器.文中采用电磁仿真和电路仿真结合的方式对推推介质振荡器进行整体仿真,并制作实物进行了试验验证,由于采用了推推介质振荡器结构,相比传统直接振荡方式具有更低的相位噪声.测试结果表明:新型微带耦合形式的推推介质振荡器工作电压:+5V,振荡器输出中心频率:21.97GHz,电流:100mA,1/2谐波抑制:≥25dB,相位噪声:-98dBc/Hz@10kHz,-122dBc/Hz@100kHz,-142dBc/Hz@1MHz.
推推;介质振荡器;GaAs HBT;相位噪声
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TN752(基本电子电路)
2021-12-15(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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