电子级多晶硅化学清洗表面氢氧 终端性能研究

摘要：

电子级多晶硅后处理工序的核心工艺是硅料化学清洗,目的是去除电子级多晶硅表面金属杂质,其清洗效果主要通过表金属检测来判定.此外,电子级多晶硅清洗后的表面形态检测也是评估清洗效果的常用方法.本文主要从电子级多晶硅清洗后表面呈现的氢终端与氧终端进行研究,测试了两种终端对其表面形态的影响,结果表明:以氢终端为主的电子级多晶硅表面粗糙度较大,而氧终端为主的电子级多晶硅表面吸附有机碳含量低于氢终端.

关键词：电子级多晶硅、化学清洗、氢氧终端

所属期刊栏目：9

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：国家重大专项02专项;极大规模集成电路制造技术及成套工艺2014ZX02404;中央财政工业转型资金项目:电子级高纯多晶硅0714-EMTC02-5593

在线出版日期：2020-01-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：59-62