超动态电压调整SRAM设计

摘要：

本文设计了一种8管SRAM单元和相应的读写辅助电路，解决了传统6管SRAM单元低压工作存在的读写稳定性问题，实现了具有超动态电压调整（U-DVS）能力的 SRAM的设计，其工作电压范围可从亚阈值区变化到标称电压，达到SRAM低功耗和高性能的平衡。通过自适应衬底偏置电路和读缓冲器的设计，增强了 SRAM 单元低压下的读稳定性和鲁棒性。设计了可复用的读写辅助电路，同时提高 SRAM 的低压写能力和读速度。采用标准0.18-μm CMOS工艺进行了流片验证。测试结果表明SRAM工作电压范围达到0.2V-1.8V，相应的工作频率为184 kHz-208 MHz，从1.8V到0.2V的工作电压范围内，SRAM总功耗降低了4个数量级，工作电压0.2V时的读写功耗仅为30nW。

关键词：集成电路设计、SRAM、超动态电压调整、亚阈值设计、静态噪声容限、低功耗

分类号：TD2;TN4

资助基金：高等学校博士学科点专项科研基金资助项目20110201110004；国家自然科学基金项目61271089

在线出版日期：2014-01-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共9页

页码：61-69