基于新型转移技术的柔性单晶硅薄膜PIN二极管的射频特性与建模研究

摘要：

本文介绍了塑性衬底上柔性微波单晶硅纳米薄膜 PIN 二极管的制备方法及其在不同工作状态下的射频特性，在二极管正向导通的条件下，从直流到20GHz 范围内，二极管在弯曲状态下的射频特性有显著的提高。为了研究相关机理，我们建立了多种状况下的二极管射频等效电路模型。模型表明，随着弯曲应力的变化，二极管内部电阻和寄生电感为影响其射频特性的主要因素，这对于合理设计及利用单晶硅薄膜二极管制作柔性单片微波集成系统有很大的指导意义。

关键词：柔性电子器件、单晶硅薄膜PIN二极管、等效电路模型、弯曲应力

分类号：TN389(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金青年基金61006061；科技部国际科技合作项目2010DFB73210

在线出版日期：2014-01-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：47-54