一种改进单行载流子光探测器高速性能的新方法

摘要：

单行载流子光探测器(UTC-PD)是一种只采用电子作为有源载流子的高速光探测器。本文研究了一种UTC-PD的吸收层采用高斯掺杂方式形成内建电场从而提高探测器高速性能的新方法。采用漂移-扩散理论分析了单行载流子光探测器（UTC-PD）的光响应特性，对影响探测器性能的因素进行分析，利用器件仿真器ATLAS对吸收层采用高斯掺杂的UTC-PD和吸收层采用均匀掺杂的UTC-PD能带结构和性能进行仿真比较。根据仿真结果显示，吸收层采用Gaussian掺杂的UTC-PD的带宽为74GHz，是吸收层采用均匀掺杂的UTC-PD的1.8倍。

关键词：高斯掺杂、InGaAs耗尽区

分类号：TN364+.2(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金61020106007

在线出版日期：2014-01-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：39-46