GaN共振隧穿二极管及THz振荡器仿真

摘要：

本文利用Silvaco软件对GaN共振隧穿二极管（GaN RTD）进行仿真，重点考虑了界面陷阱密度对GaN RTD量子阱性能及负阻特性的影响。结果显示，当密度大于5×1010 cm-2时，器件的负阻特性几乎消失；当密度在5×106 cm-2至5×109 cm-2时，器件负阻特性会随着测量次数的增加而退化。同时结合Hspice，对由GaN RTD构成的THz振荡器进行仿真，首次得到了陷阱密度对振荡器输出功率和RF转化效率交流特性影响的定量结果。

关键词：GaN共振隧穿二极管、AlGaN/GaN异质结、界面陷阱

分类号：TN4;TN3

资助基金：高等学校博士学科点专项科研基金20090203110012；国家自然科学基金61076079

在线出版日期：2014-01-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：74-78