正背栅SOI-MOSFET二维阈值电压解析模型

摘要：

通过建立沟道区域和埋氧区域的二维泊松方程，并考虑衬底区域的掺杂和背栅偏压对器件阈值电压的影响，得到了一种正背栅全耗尽SOI-MOSFET二维阈值电压模型。根据模型计算结果，研究了衬底掺杂浓度和衬底（背栅）偏压对器件阈值电压的影响，通过与MEDICI数值模拟结果的比较表明，该模型能预计不同衬底掺杂浓度和衬底（背栅）偏压对阈值电压的影响，正确反映器件的短沟效应和背栅效应。

关键词：全耗尽SOI-MOSFET、背栅电压、阈值电压解析模型

分类号：TN3;TN4

资助基金：高等学校博士学科点专项科研基金20090201120026；西安应用材料创新基金XA-AM-201008

在线出版日期：2014-01-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共10页

页码：54-63