片上Sub-nH平面螺旋电感的物理建模

摘要：

本论文针对CMOS射频集成电路设计中的sub-nH片上平面螺旋电感，提出了一种新的电感物理模型。基于片上电感的高频物理特性分析，新模型采用П型拓扑结构和RLC元件来描述sub-nH量级片上螺旋电感的集总参数特性。本论文将器件之间的互连线并入电感模型，提高了电感模型的实用性，简化了电路设计和仿真。测试结果表明，新模型在低频到40GHz的频率范围内获得了较高的精度。最后，本论文利用电感新模型设计了一个中心频率为20GHz，噪声系数为4.8dB的低噪声放大器。

关键词：集成电路设计、片上电感、sub-nH、模型、互连线、低噪声放大器

分类号：TN4;TN7

资助基金：National Natural Science Foundation of China61076028;Doctoral Program of Higher Education of China20100071120026

在线出版日期：2014-01-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共9页

页码：73-81