半导体器件芯片级温度均匀性检测技术的研究
本文提出了一种通过电学瞬态温度响应测量检测半导体器件芯片级温度均匀性的方法。实验证明器件的芯片级热不均匀性与加热响应曲线第一级台阶的高度呈现单调关系。在基于有限元方法的三维瞬态温度模拟及基于电学温敏参数法的测量结果中均可观测到这一现象。我们同样利用红外热成像法测量了器件在不同电流分布下的温度分布情况,利用热谱法定量分析了对应的芯片级温度不均匀性,其结果与本文所提出的方法的分析结果相吻合。
热不均匀性、加热响应曲线、热谱、可靠性
TP3;TK4
The Specialized Research Fund for the Doctoral Program of Higher Education of ChinaGrant 20091103110006;the 9th Science and Technology Postgraduate Foundation of Beijing University of TechnologyGrant ykj-2011-5336
2014-01-07(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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