180nm CMOS工艺下温度对SET的影响
基于3D混合模拟,研究了180nm CMOS工艺下了温度对SET脉冲的影响。研究发现,温度对数字SET有重要影响。使用60MeV cm2/mg的LET,当温度从-55℃增加到125℃时,数字SET脉冲宽度显著增加。分析显示脉冲随温度展宽的原因是由于双极放大效应随温度增加而增强。
SET、双极放大效应、混合模拟
TN7;TQ3
国家自然科学基金项目60836004和60676010;教育部博士点基金项目20079998015
2014-01-07(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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