大电流场致发射电子源的研究

摘要：

与普通热阴极相比较，场致发射电子源利用高场强下的隧穿效应产生电子发射，不需要高温加热，有利于器件的小型化和集成化，在平板显示器、微波放大器和 X 射线管等电子器件中有很好的应用前景。在微波放大器、X射线管和离子推进器等电子器件中，通常要求较大的阴极发射面积（几平方毫米）和较大的发射电流（几十毫安）。现有的场致发射电子源，由于诸多因素的限制，其发射电流远不能达到器件的要求。本文深入探讨了影响场发射电流的因素，采用新的发射体结构，增强了发射体与基底的附着能力，有效地提高了场发射电子源的电流发射能力，从直径为1mm的发射面积上获得了43.6 mA的发射电流。

关键词：物理电子学、场致发射、大电流、附着力

分类号：O46;TN1

资助基金：教育部博士点基金20070286054,20100092110015；国家自然基金50872022,60801002,60971017；外国青年学者研究基金51050110142

在线出版日期：2014-01-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：73-78