TiN/HZO/HfO2/Si铁电晶体管栅结构的60 Coγ射线总剂量辐射效应
该文制备了TiN/Hf0.5 Zr0.5 O2(HZO)/HfO2/Si(MFIS)型的铁电晶体管栅结构,并在常规实验环境下对其进行了P-E、J-E、疲劳和保持等的电学性能测试.结果表明这种基于铪系氧化物的栅结构具有优良的电学性能,2P r可达30μC/cm2,2E c约为6.8 MV/cm,矫顽场附近的漏电流密度为10-6 A/cm2,在105 s保持时间内剩余极化值衰减10％,经107次翻转后剩余极化值基本保持不变,经109次翻转后剩余极化值的衰减维持在15％ 以内.MFIS铁电栅的60 Coγ射线电离辐射实验结果表明这种栅结构对总剂量电离辐射具有很强的免疫力,在辐射剂量高达5 Mrad(Si)时,电滞回线矩形度、对称性以及保持性能等几乎没有退化.该文所制备的全铪系薄膜铁电栅为高抗总剂量辐射、高读写寿命、长保存时间的高性能晶体管型铁电存储器的制备提供了数据支撑.
HZO铁电薄膜、MFIS、总剂量电离辐射
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O152.1(代数、数论、组合理论)
2019-11-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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