Ce掺杂HfO2薄膜的化学溶液法制备及其铁电性能研究

摘要：

氧化铪基薄膜与金属氧化物半导体(CMOS)工艺高度兼容,具有良好的可微缩性和保持性能,其铁电性的发现引起了科学家们的广泛关注.该文通过化学溶液法在铂(Pt)衬底上制备5 mol％和10 mol％的铈掺杂氧化铪基(Ce:HfO2)薄膜,并在不同的退火温度条件下对薄膜进行处理.分别利用电滞回线,掠入射X射线衍射(GIXRD)对薄膜的铁电性能和结构进行了测试和表征.研究发现:5 mol％的铈掺杂氧化铪薄膜具有铁电性,铈掺杂在氧化铪中诱导了铁电正交相;10 mol％的铈掺杂氧化铪薄膜则表现出了反铁电性,最大剩余极化(P r)为21.02μC/cm2.实验结果表明,通过调控掺杂浓度,铈元素能诱导出氧化铪薄膜中的铁电相.

关键词：Ce掺杂、铁电薄膜、二氧化铪、化学溶液法

所属期刊栏目：41

分类号：O484.1(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金项目51702273

在线出版日期：2019-11-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：82-89