平面应变对二维单层氮化镓电子性质的调控作用
采用第一性原理方法研究了二维单原子层氮化镓结构和电子性质的平面对称应变效应.结果表明,在-10%~10%的应变范围内,二维氮化镓的结构未遭到破坏,仍然保持稳定.通过对应变下的能带结构分析,发现随着拉应变的增大,二维氮化镓的带隙逐渐减小,而且保持间接带隙性质.在一定压应变作用下,二维氮化镓的带隙增大,由间接带隙转变为直接带隙.这表明平面对称应变可以有效地调节二维氮化镓的电子性质,为二维氮化镓的应用提供了有价值的理论依据.
第一性原理、二维材料、氮化镓、应变
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O469(真空电子学(电子物理学))
国家自然科学基金青年基金11404275;国家自然科学基金理论物理专项基金11347206;湖南省教育厅创新平台开放基金项目16K084
2018-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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