化学有序AlxGa1-xN合金的第一性原理研究

摘要：

基于第一性原理方法系统研究了化学有序结构AlxGa1-xN合金的结构特征和电子性质.结果表明:随着组分x的增大,化学有序结构AlxGa1-xN合金的晶格常数逐渐减小,而结构稳定性变强.计算的电子结构揭示:化学有序结构AlxGa1-xN合金是直接带隙半导体,其带隙随着x的增大而变宽.化学有序化对带隙变化的影响可能源于量子阱的局域化,且化学有序结构AlxGa1-xN的化学键是包含明显离子特性的共价键.

关键词：AlxGa1-xN、化学有序、能带结构、第一性原理、半导体

所属期刊栏目：33

分类号：O738(晶体物理)

资助基金：国家自然科学基金项目50861002,51071053;湖南省材料设计与制备工艺重点实验室开放项目KF0803

在线出版日期：2012-01-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：10-16