磁控溅射法制备Si1-xGex/B多层薄膜及其热电性能研究

摘要：

本文通过磁控溅射法制备了一种独特的SiGe/B五层结构薄膜材料，每层结构包含60 nm的Si60Ge40层和0.55 nm的B层。实验考察了薄膜材料的热电性能，结果表明：B掺杂的溅射时间最佳为30 s；当退火温度为650℃时，薄膜的致密性最好，且在此温度下具有较高的Seebeck系数，最大值为6.75×10?4 V/K，电阻率最小值为1.6×10?5?·m，其功率因子最大值为0.026 W/(m·K2)。

关键词：热电材料、硅锗薄膜、纳米结构、热电性能

所属期刊栏目：4

分类号：TK6(生物能及其利用)

资助基金：国家自然科学基金51572049，51562005；广东省科技计划项目2013B050800006；中国科学院BIC对外合作项目182344KYSB20130006

在线出版日期：2016-11-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：345-350