在Cd(0001)基底上外延生长单原子层锗

摘要：

利用超高真空-低温扫描隧道显微镜(STM)技术和密度泛函理论(DFT)研究了锗(Ge)在Cd(0001)表面的薄膜生长行为和电子性质.研究发现室温下沉积在Cd(0001)表面上的Ge原子容易形成纳米尺度的团簇.当Cd衬底的温度降至100 K左右,Ge原子形成单原子层厚的二维薄膜.高分辨的STM图表明Ge的单原子层具有1 × 1的赝晶结构.扫描隧道谱(STS)测量发现Ge的单原子层表现出金属性行为.DFT计算结果表明:Ge原子优先占据Cd(0001)衬底的六角密排空位,Ge与Cd(0001)衬底之间存在静电作用,Ge原子之间通过共价键相结合.

关键词：锗、Cd(0001)表面、赝晶结构、外延生长、密度泛函理论

所属期刊栏目：48

分类号：O469(真空电子学（电子物理学）)

资助基金：国家自然科学基金;国家自然科学基金

在线出版日期：2023-07-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：55-62